平板探測器是一種高精度化的設備，平板檢測儀有著對成像質量有著決定性的影響，熟悉探測器的性能指標有助于提高成像質量和減少X線輻射劑量。傳統(tǒng)的平板探測儀像濱松X射線平板探測儀就可以主要由非晶硒物質組成。
 
常見的非晶硒類的平板探測儀
這類探測儀一般為直接式平板探測器結構，主要由集電矩陣、硒層、電介層、頂層電極和保護層等構成。集電矩陣由按陣元方式排列的薄膜晶體管（TFT）組成。非晶硒半導體材料在薄膜晶體管陣列上方通過真空蒸鍍生成約0.5 mm厚、38 mm×45 mm見方的薄膜，并有很高的圖像解析能力。
頂層電極接高壓電源，當有X線入射時，由于高壓電源在非晶硒表面形成的電場，它們只能沿電場方向垂直穿過絕緣層、X射線半導體、0，到達非晶硒，不會出現(xiàn)橫向偏離從而出現(xiàn)光的散射。非晶硒陣列直接將X射線轉變成信號，記憶在存儲電容器里，脈沖控制門電路使薄膜晶體管導通，把記憶在存儲電容器里的電荷送達電荷放大器輸出，完成信號的轉換，再經(jīng)數(shù)字轉換器轉換，形成數(shù)字圖像輸入計算機，并由計算機將該影像還原在屏幕上由醫(yī)生觀察顯示器直接診斷。
 

平板探測器從轉換的方式可以分為兩種 :間接轉換平板探測器和直接轉換平板探測器。
間接轉換平板探測器
間接轉換平板探測器由碘化銫等閃爍晶體涂層與薄膜晶體管或電荷耦合器件或 互 補 型 金 屬 氧 化 物 半 導 體構成 。間接轉換平板探測器的工作過程一般分為兩步 , 首先閃爍晶體涂層將 X 線的轉換成可見光 ;其次 TF T 或者C CD , 或 C MO S 將可見光轉換成信號。由于在這過程中可見光會發(fā)生散射 , 對空間分辨率產(chǎn)生**的影響 。雖然新工藝中將閃爍體加工成柱狀以提高對 X 線的利用及降低散射 ,但散射光對空間分辨率的影響不能完全減少。

直接轉換平板探測器
直接轉換平板探測器主要由非晶硒層T FT 構成 。入射的 X 射線使硒層產(chǎn)生電子空對, 在外加偏壓電場作用下 , 電子和空對向相反的方向移動形成電流 , 電流在薄膜晶體管中形成儲存電荷 。每一個晶體管的儲存電荷量對應于入射 X 射線的劑量 , 通過讀出電路可以知道每一點的電荷量 ,進而知道每點的 X 線劑量 。由于非晶硒不產(chǎn)生可見光 , 沒有散射線的影響 , 因此可以獲得比較高的空間分辨率